0

Infineon

AUIRS21811STR
0
Количество драйверов:2 DriverКоличество выходов:2 OutputВыходной ток:1.9 AВремя нарастания:60 nsВремя спада:35 nsНапряжение питания - мин.:10 VНапряжение питания - макс.:20 VЗадержка распространения - макс.:230 nsРабочий ток источника питания:130 uAP..
Микросхемы: Драйверы управления затвором
77.20 грн.
В корзину
BC856SH
0
Полярность транзистора:PNPНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:65 VНапряжение коллектор-база (VCBO):80 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):5 VНапряжение насыщения коллектор-эмиттер:250 mVМаксимальный постоянный ток коллектора:200 mAPd - рассеивание..
Тип корпуса: SOT-363 Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
2.00 грн.
В корзину
BC858C
0
Полярность транзистора:PNPНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:30 VНапряжение коллектор-база (VCBO):30 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):5 VМаксимальный постоянный ток коллектора:100 mAPd - рассеивание мощности:330 mWПроизведение коэффициента уси..
Тип корпуса: SOT-23 Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
0.80 грн.
В корзину
BCM856SH
0
Полярность транзистора:PNPНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:65 VНапряжение коллектор-база (VCBO):80 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):5 VНапряжение насыщения коллектор-эмиттер:250 mVМаксимальный постоянный ток коллектора:200 mAPd - рассеивание..
Тип корпуса: SOT-363 Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
2.40 грн.
В корзину
BCR108
0
Полярность транзистора:NPNТипичное входное сопротивление:2.2 kOhmsТипичный коэффициент деления резистора:0.047Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):70Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:50 VНепрерывный коллекторный ..
Тип корпуса: SOT-23 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
1.60 грн.
В корзину
BCR108W
0
Полярность транзистора:NPNТипичное входное сопротивление:2.2 kOhmsТипичный коэффициент деления резистора:0.047Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):70Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:50 VНепрерывный коллекторный ..
Тип корпуса: SOT-323 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
1.20 грн.
В корзину
BCR10PN
0
Полярность транзистора:NPN, PNPТипичное входное сопротивление:10 kOhmsТипичный коэффициент деления резистора:1Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):30Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:50 VНепрерывный коллекторный ..
Тип корпуса: SOT-363 Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
2.00 грн.
В корзину
BCR112
0
Полярность транзистора:NPNТипичное входное сопротивление:4.7 kOhmsТипичный коэффициент деления резистора:1Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):20Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:50 VНепрерывный коллекторный ток:..
Тип корпуса: SOT-23 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
0.80 грн.
В корзину
BCR116S
0
Полярность транзистора:NPNТипичное входное сопротивление:4.7 kOhmsТипичный коэффициент деления резистора:0.1Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):70Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:50 VНепрерывный коллекторный то..
Тип корпуса: SOT-363 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
1.60 грн.
В корзину
BCR116W
0
Полярность транзистора:NPNТипичное входное сопротивление:4.7 kOhmsТипичный коэффициент деления резистора:0.1Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):70Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:50 VНепрерывный коллекторный то..
Тип корпуса: SOT-323 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
1.20 грн.
В корзину
BCR133
0
Полярность транзистора:NPNТипичное входное сопротивление:10 kOhmsТипичный коэффициент деления резистора:1Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):30Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:50 VНепрерывный коллекторный ток:1..
Тип корпуса: SOT-23 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
1.60 грн.
В корзину
BCR135
0
Полярность транзистора:NPNТипичное входное сопротивление:10 kOhmsТипичный коэффициент деления резистора:0.21Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):70Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:50 VНепрерывный коллекторный то..
Тип корпуса: SOT-23 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
1.20 грн.
В корзину
BCR142
0
Полярность транзистора:NPNТипичное входное сопротивление:22 kOhmsТипичный коэффициент деления резистора:0.47Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):70Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:50 VНепрерывный коллекторный то..
Тип корпуса: SOT-23 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
1.20 грн.
В корзину
BCR166
0
Полярность транзистора:PNPТипичное входное сопротивление:4.7 kOhmsТипичный коэффициент деления резистора:0.1Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):70Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:50 VНепрерывный коллекторный то..
Тип корпуса: SOT-23 Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
1.20 грн.
В корзину
BCR166W
0
Полярность транзистора:PNPТипичное входное сопротивление:4.7 kOhmsТипичный коэффициент деления резистора:0.1Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):70Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:50 VНепрерывный коллекторный то..
Тип корпуса: SOT-323 Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
1.20 грн.
В корзину
BCR185S
0
Полярность транзистора:PNPТипичное входное сопротивление:10 kOhmsТипичный коэффициент деления резистора:0.21Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):70Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:50 VНепрерывный коллекторный то..
Тип корпуса: SOT-363 Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
1.20 грн.
В корзину
BCR198
0
Полярность транзистора:PNPТипичное входное сопротивление:47 kOhmsТипичный коэффициент деления резистора:1Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):70Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:50 VНепрерывный коллекторный ток:7..
Тип корпуса: SOT-363 Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
1.60 грн.
В корзину
BCR512
0
Полярность транзистора:NPNТипичное входное сопротивление:4.7 kOhmsТипичный коэффициент деления резистора:1Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):60Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:50 VНепрерывный коллекторный ток:..
Тип корпуса: SOT-23 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
2.80 грн.
В корзину
BCR523
0
Полярность транзистора:NPNТипичное входное сопротивление:1 kOhmsТипичный коэффициент деления резистора:0.1Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):70Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:50 VНепрерывный коллекторный ток:..
Тип корпуса: SOT-23 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
1.60 грн.
В корзину
BCR533
0
Полярность транзистора:NPNТипичное входное сопротивление:10 kOhmsТипичный коэффициент деления резистора:1Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):70Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:50 VНепрерывный коллекторный ток:5..
Тип корпуса: SOT-23 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
1.60 грн.
В корзину
BCR555
0
Полярность транзистора:PNPТипичное входное сопротивление:2.2 kOhmsТипичный коэффициент деления резистора:0.22Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):70Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:50 VНепрерывный коллекторный т..
Тип корпуса: SOT-23 Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
2.80 грн.
В корзину
BCR562
0
Полярность транзистора:PNPТипичное входное сопротивление:4.7 kOhmsТипичный коэффициент деления резистора:1Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):60Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:50 VНепрерывный коллекторный ток:..
Тип корпуса: SOT-23 Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
2.00 грн.
В корзину
BCV27E6327
0
Полярность транзистора:NPNНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:30 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):10 VНапряжение коллектор-база (VCBO):40 VМаксимальный постоянный ток коллектора:0.5 AМаксимальный ток отсечки коллектора:0.1 uAМинимальная рабочая..
Тип корпуса: SOT-23 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Транзисторы Дарлингтона
1.60 грн.
В корзину
BCV47E6327
0
Полярность транзистора:NPNНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:60 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):10 VНапряжение коллектор-база (VCBO):80 VМаксимальный постоянный ток коллектора:0.5 AМаксимальный ток отсечки коллектора:0.1 uAМаксимальная рабоча..
Тип корпуса: SOT-23 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Транзисторы Дарлингтона
2.00 грн.
В корзину