0

ON Semiconductor

2N6039G
0
Полярность транзистора:NPNНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:80 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):5 VНапряжение коллектор-база (VCBO):80 VМаксимальный постоянный ток коллектора:4 AМаксимальный ток отсечки коллектора:500 uAPd - рассеивание мощно..
Тип корпуса: TO-126 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Транзисторы Дарлингтона
15.60 грн.
В корзину
2N6042G
0
Полярность транзистора:PNPНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:100 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):5 VНапряжение коллектор-база (VCBO):100 VМаксимальный постоянный ток коллектора:8 AМаксимальный ток отсечки коллектора:20 uAPd - рассеивание мощн..
Тип корпуса: TO-220 Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Транзисторы Дарлингтона
18.00 грн.
В корзину
2N6045G
0
Полярность транзистора:NPNНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:100 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):5 VНапряжение коллектор-база (VCBO):100 VМаксимальный постоянный ток коллектора:8 AМаксимальный ток отсечки коллектора:20 uAPd - рассеивание мощн..
Тип корпуса: TO-220 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Транзисторы Дарлингтона
17.60 грн.
В корзину
2N6387G
0
Полярность транзистора:NPNНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:60 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):5 VНапряжение коллектор-база (VCBO):60 VМаксимальный постоянный ток коллектора:10 AМаксимальный ток отсечки коллектора:1000 uAМинимальная рабочая ..
Тип корпуса: TO-220 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Транзисторы Дарлингтона
16.80 грн.
В корзину
2N6388G
0
Полярность транзистора:NPNНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:80 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):5 VНапряжение коллектор-база (VCBO):80 VМаксимальный постоянный ток коллектора:10 AМаксимальный ток отсечки коллектора:1000 uAPd - рассеивание мощ..
Тип корпуса: TO-220 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Транзисторы Дарлингтона
16.40 грн.
В корзину
2SC5707-E
0
Полярность транзистора: NPN Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 50 V Напряжение коллектор-база (VCBO): 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO): 6 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 160 mV, 110 mV Максимальный постоянный ток коллектора: 11..
Тип корпуса: TO-251 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
11.20 грн.
В корзину
2SC5707-TL-E
0
Полярность транзистора: NPN Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 50 V Напряжение коллектор-база (VCBO): 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO): 6 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 160 mV, 110 mV Максимальный постоянный ток коллектора: 11..
Тип корпуса: TO-252 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
4.80 грн.
В корзину
2SD1207
0
Полярность транзистора: NPNНапряжение коллектор-база (VCBO): 60 VНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 50 V Напряжение эмиттер-база (VEBO): 6 V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Pd - рассеивание мощности: 1 W..
Тип корпуса: TO-92L Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
7.60 грн.
В корзину
74ACT574DW
0
Количество контуров: 8 Тип логики: D-Type Edge Triggered Flip-Flop Тип входа: TTL Тип выхода: 3-State Время задержки распространения: 11 ns Выходной ток высокого уровня: - 24 mA Выходной ток низкого уровня: 24 mA Напряжение питания - макс.: 5.5 V Фун..
Микросхемы: Микросхемы логики
7.20 грн.
В корзину
BC368
0
Полярность транзистора:NPNНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:20 VНапряжение коллектор-база (VCBO):32 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):5 VМаксимальный постоянный ток коллектора:0.001 APd - рассеивание мощности:830 mWПроизведение коэффициента ус..
Тип корпуса: TO-92 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
2.80 грн.
В корзину
BC369
0
Полярность транзистора:PNPНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:20 VНапряжение коллектор-база (VCBO):25 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):5 VНапряжение насыщения коллектор-эмиттер:0.5 VМаксимальный постоянный ток коллектора:1 APd - рассеивание мощ..
Тип корпуса: TO-92 Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
6.80 грн.
В корзину
BC516-D27Z
0
Полярность транзистора:PNPНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:30 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):10 VНапряжение коллектор-база (VCBO):40 VМаксимальный постоянный ток коллектора:- 1 AМаксимальный ток отсечки коллектора:0.1 uAPd - рассеивание мо..
Тип корпуса: TO-92 Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Транзисторы Дарлингтона
4.00 грн.
В корзину
BC546A
0
Полярность транзистора:NPNНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:65 VНапряжение коллектор-база (VCBO):80 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):6 VНапряжение насыщения коллектор-эмиттер:250 mVМаксимальный постоянный ток коллектора:0.1 APd - рассеивание ..
Тип корпуса: TO-92 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
1.20 грн.
В корзину
BC546C
0
Полярность транзистора:NPNНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:65 VНапряжение коллектор-база (VCBO):80 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):6 VНапряжение насыщения коллектор-эмиттер:250 mVМаксимальный постоянный ток коллектора:0.1 APd - рассеивание ..
Тип корпуса: TO-92 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
1.60 грн.
В корзину
BC547A
0
Полярность транзистора:NPNНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:45 VНапряжение коллектор-база (VCBO):50 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):6 VНапряжение насыщения коллектор-эмиттер:250 mVМаксимальный постоянный ток коллектора:0.1 APd - рассеивание ..
Тип корпуса: TO-92 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
0.80 грн.
В корзину
BC548A
0
Полярность транзистора:NPNНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:30 VНапряжение коллектор-база (VCBO):30 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):5 VНапряжение насыщения коллектор-эмиттер:200 mVМаксимальный постоянный ток коллектора:0.1 APd - рассеивание ..
Тип корпуса: TO-92 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
0.80 грн.
В корзину
BC549A
0
Полярность транзистора:NPNНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:30 VНапряжение коллектор-база (VCBO):30 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):6 VНапряжение насыщения коллектор-эмиттер:-Максимальный постоянный ток коллектора:200 mAPd - рассеивание мощн..
Тип корпуса: TO-92 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
0.80 грн.
В корзину
BC549B
0
Полярность транзистора:NPNНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:30 VНапряжение коллектор-база (VCBO):30 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):5 VНапряжение насыщения коллектор-эмиттер:250 mVМаксимальный постоянный ток коллектора:0.1 APd - рассеивание ..
Тип корпуса: TO-92 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
0.80 грн.
В корзину
BC549C
0
Полярность транзистора:NPNНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:30 VНапряжение коллектор-база (VCBO):30 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):5 VНапряжение насыщения коллектор-эмиттер:0.25 VМаксимальный постоянный ток коллектора:0.1 APd - рассеивание ..
Тип корпуса: TO-92 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
0.80 грн.
В корзину
BC556A
0
Полярность транзистора:PNPНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:- 65 VНапряжение коллектор-база (VCBO):- 80 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):- 5 VНапряжение насыщения коллектор-эмиттер:- 250 mVМаксимальный постоянный ток коллектора:- 0.1 APd - ра..
Тип корпуса: TO-92 Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
0.80 грн.
В корзину
BC556C
0
Полярность транзистора:PNPНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:- 65 VНапряжение коллектор-база (VCBO):- 80 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):- 5 VНапряжение насыщения коллектор-эмиттер:- 250 mVМаксимальный постоянный ток коллектора:- 0.1 APd - ра..
Тип корпуса: TO-92 Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
1.20 грн.
В корзину
BC558A
0
Полярность транзистора:PNPНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:30 VНапряжение коллектор-база (VCBO):30 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):5 VМаксимальный постоянный ток коллектора:0.1 APd - рассеивание мощности:500 mWПроизведение коэффициента усил..
Тип корпуса: TO-92 Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
0.80 грн.
В корзину
BC559A
0
Полярность транзистора:PNPНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:- 30 VНапряжение коллектор-база (VCBO):- 30 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):- 5 VНапряжение насыщения коллектор-эмиттер:- 250 mVМаксимальный постоянный ток коллектора:- 0.1 APd - ра..
Тип корпуса: TO-92 Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
1.20 грн.
В корзину
BC559B
0
Полярность транзистора:PNPНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:- 30 VНапряжение коллектор-база (VCBO):- 30 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):- 5 VНапряжение насыщения коллектор-эмиттер:- 250 mVМаксимальный постоянный ток коллектора:- 0.1 APd - ра..
Тип корпуса: TO-92 Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
1.20 грн.
В корзину