0

Транзисторы - Биполярные транзисторы (BJT)

0
NPN 75V 0,8A 0,5W..
Тип корпуса: TO-92 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
0.80 грн.
В корзину
0
PNP 40V 0,6A 0,8W..
Тип корпуса: TO-3 Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
19.20 грн.
В корзину
0
Полярность транзистора: PNP Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 60 VDC Напряжение коллектор-база (VCBO): 60 VDC Напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 VDC Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 400 mV Максимальный постоянный ток коллектора: 600 m..
Тип корпуса: TO18 Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
0.80 грн.
В корзину
0
Тип корпуса: TO-3 Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
21.20 грн.
В корзину
0
Полярность транзистора: NPN Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 40 V Напряжение коллектор-база (VCBO): 60 V Напряжение эмиттер-база (VEBO): 6 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 0.3 V Максимальный постоянный ток коллектора: 0.2 A Произв..
Тип корпуса: TO-92 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
0.80 грн.
В корзину
0
Полярность транзистора: NPNНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 40 VНапряжение коллектор-база (VCBO): 60 VНапряжение эмиттер-база (VEBO): 6 VНапряжение насыщения коллектор-эмиттер: 0.3 VМаксимальный постоянный ток коллектора: 0.2 AПроизведение..
Тип корпуса: SOT-23 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
0.40 грн.
В корзину
0
PNP 40V 0,2A 0,35W B=100-400..
Тип корпуса: TO-92 Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
0.80 грн.
В корзину
0
NPN; 40V 0,6A 0,625W 250MHz h21>100..
Тип корпуса: TO-92 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
0.80 грн.
В корзину
0
NPN; 30V 0,1A 0,625W B=300-900 маломощный универсальный..
Тип корпуса: TO-92 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
0.80 грн.
В корзину
0
Полярность транзистора: PNP Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: - 150 V Напряжение коллектор-база (VCBO): - 160 V Напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 V Максимальный постоянный ток коллектора: 0.6 A Произведение коэффициента усиления на ширину п..
Тип корпуса: TO-92 Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
0.80 грн.
В корзину
0
Полярность транзистора: NPN Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 160 V Напряжение коллектор-база (VCBO): 180 V Напряжение эмиттер-база (VEBO): 6 V Максимальный постоянный ток коллектора: 0.6 A Произведение коэффициента усиления на ширину полос..
Тип корпуса: TO-92 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
0.80 грн.
В корзину
0
PNP; darl+diod; 100V 20A 160W h21=700-18000 Uce=2V мощный составной аналог КТ825Г..
Тип корпуса: TO-3 Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
80.40 грн.
В корзину
0
NPN 350V 0,5A 0,625W >4..
Тип корпуса: TO-92 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
2.40 грн.
В корзину
0
Si-P, 60V 5A 25W 60MHz..
Тип корпуса: TO-220 Тип транзистора: Si-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
14.00 грн.
В корзину
0
PNP; 160V 1A 0,9W 50MHz..
Тип корпуса: TO-92L Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
2.00 грн.
В корзину
0
Тип корпуса: TO-92 Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
1.20 грн.
В корзину
0
PNP 50V 150mA 400mW 80MHz..
Тип корпуса: TO-92 Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
1.20 грн.
В корзину
0
PNP lo-sat, 50V 2A 0,9W 100MHz..
Тип корпуса: TO-92L Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
3.60 грн.
В корзину
0
Полярность транзистора: PNPНапряжение коллектор-база (VCBO): -150 VНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: -150 V Напряжение эмиттер-база (VEBO): -5 V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): -10 A Pd - рассеивание мощности: 100 W..
Тип корпуса: TO-3PF Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
50.00 грн.
В корзину
0
PNP 50V 0,15A 0,4W 130MHz..
Тип корпуса: TO-92 Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
1.60 грн.
В корзину
0
Si-P, 30V 2A 1W 120MHz..
Тип корпуса: TO-92 Тип транзистора: Si-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
3.60 грн.
В корзину
0
Полярность транзистора: PNPНапряжение коллектор-база (VCBO): -30 VНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: -30 V Напряжение эмиттер-база (VEBO): -5 V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): -2 A Pd - рассеивание мощности: 1 W..
Тип корпуса: TO-92L Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
3.60 грн.
В корзину
0
Тип корпуса: TO-220 Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
24.00 грн.
В корзину
0
Тип корпуса: TO-92 Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
30.40 грн.
В корзину