0

Транзисторы - Транзисторы Дарлингтона

0
Полярность транзистора:PNPНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:80 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):5 VНапряжение коллектор-база (VCBO):80 VМаксимальный постоянный ток коллектора:4 AМаксимальный ток отсечки коллектора:100 uAМаксимальная рабочая т..
Тип корпуса: TO-126 Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Транзисторы Дарлингтона
10.00 грн.
В корзину
0
Полярность транзистора:NPNНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:80 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):5 VНапряжение коллектор-база (VCBO):80 VМаксимальный постоянный ток коллектора:4 AМаксимальный ток отсечки коллектора:500 uAPd - рассеивание мощно..
Тип корпуса: TO-126 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Транзисторы Дарлингтона
15.60 грн.
В корзину
0
Полярность транзистора:PNPНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:100 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):5 VНапряжение коллектор-база (VCBO):100 VМаксимальный постоянный ток коллектора:8 AМаксимальный ток отсечки коллектора:20 uAPd - рассеивание мощн..
Тип корпуса: TO-220 Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Транзисторы Дарлингтона
18.00 грн.
В корзину
0
Полярность транзистора:NPNНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:100 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):5 VНапряжение коллектор-база (VCBO):100 VМаксимальный постоянный ток коллектора:8 AМаксимальный ток отсечки коллектора:20 uAPd - рассеивание мощн..
Тип корпуса: TO-220 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Транзисторы Дарлингтона
17.60 грн.
В корзину
0
Полярность транзистора:NPNНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:60 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):5 VНапряжение коллектор-база (VCBO):60 VМаксимальный постоянный ток коллектора:10 AМаксимальный ток отсечки коллектора:1000 uAМинимальная рабочая ..
Тип корпуса: TO-220 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Транзисторы Дарлингтона
16.80 грн.
В корзину
0
Полярность транзистора:NPNНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:80 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):5 VНапряжение коллектор-база (VCBO):80 VМаксимальный постоянный ток коллектора:10 AМаксимальный ток отсечки коллектора:1000 uAPd - рассеивание мощ..
Тип корпуса: TO-220 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Транзисторы Дарлингтона
16.40 грн.
В корзину
0
PNP Darlington 160V 8A 80W 65MHz..
Тип корпуса: TO-3PN Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Транзисторы Дарлингтона
52.00 грн.
В корзину
0
PNP Darlington 110V 6A 60W 100MHz..
Тип корпуса: TO-3PML Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Транзисторы Дарлингтона
53.60 грн.
В корзину
0
Полярность транзистора:PNPНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:30 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):10 VНапряжение коллектор-база (VCBO):40 VМаксимальный постоянный ток коллектора:- 1 AМаксимальный ток отсечки коллектора:0.1 uAPd - рассеивание мо..
Тип корпуса: TO-92 Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Транзисторы Дарлингтона
4.00 грн.
В корзину
0
Полярность транзистора:NPNНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:30 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):10 VНапряжение коллектор-база (VCBO):40 VМаксимальный постоянный ток коллектора:0.5 AМаксимальный ток отсечки коллектора:0.1 uAМинимальная рабочая..
Тип корпуса: SOT-23 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Транзисторы Дарлингтона
1.60 грн.
В корзину
0
Полярность транзистора:PNPНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:30 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):10 VНапряжение коллектор-база (VCBO):40 VМаксимальный постоянный ток коллектора:0.5 AМаксимальный ток отсечки коллектора:0.1 uAМинимальная рабочая..
Тип корпуса: SOT-89 Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Транзисторы Дарлингтона
8.00 грн.
В корзину
0
Полярность транзистора:PNPНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:60 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):10 VНапряжение коллектор-база (VCBO):80 VМаксимальный постоянный ток коллектора:0.5 AМаксимальный ток отсечки коллектора:0.1 uAМинимальная рабочая..
Тип корпуса: SOT-23 Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Транзисторы Дарлингтона
2.80 грн.
В корзину
0
Полярность транзистора:NPNНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:60 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):10 VНапряжение коллектор-база (VCBO):80 VМаксимальный постоянный ток коллектора:0.5 AМаксимальный ток отсечки коллектора:0.1 uAМинимальная рабочая..
Тип корпуса: SOT-23 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Транзисторы Дарлингтона
2.00 грн.
В корзину
0
Полярность транзистора:NPNНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:60 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):10 VНапряжение коллектор-база (VCBO):80 VМаксимальный постоянный ток коллектора:0.5 AМаксимальный ток отсечки коллектора:0.1 uAМаксимальная рабоча..
Тип корпуса: SOT-23 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Транзисторы Дарлингтона
2.00 грн.
В корзину
0
Полярность транзистора:PNPНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:60 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):10 VНапряжение коллектор-база (VCBO):80 VМаксимальный постоянный ток коллектора:0.5 AМаксимальный ток отсечки коллектора:0.1 uAМинимальная рабочая..
Тип корпуса: SOT-89 Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Транзисторы Дарлингтона
7.20 грн.
В корзину
0
Полярность транзистора:NPNНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:60 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):10 VНапряжение коллектор-база (VCBO):80 VМаксимальный постоянный ток коллектора:0.5 AМаксимальный ток отсечки коллектора:0.1 uAМинимальная рабочая..
Тип корпуса: SOT-89 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Транзисторы Дарлингтона
3.60 грн.
В корзину
0
Полярность транзистора:NPNНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:60 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):10 VНапряжение коллектор-база (VCBO):80 VМаксимальный постоянный ток коллектора:0.8 AМаксимальный ток отсечки коллектора:0.1 uAPd - рассеивание мо..
Тип корпуса: TO-92 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Транзисторы Дарлингтона
11.20 грн.
В корзину
0
Полярность транзистора:NPNНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:45 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):5 VНапряжение коллектор-база (VCBO):45 VМаксимальный постоянный ток коллектора:4 AМаксимальный ток отсечки коллектора:200 uAМинимальная рабочая те..
Тип корпуса: TO-126 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Транзисторы Дарлингтона
11.60 грн.
В корзину
0
Полярность транзистора:PNPНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:60 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):5 VНапряжение коллектор-база (VCBO):60 VМаксимальный постоянный ток коллектора:4 AМаксимальный ток отсечки коллектора:200 uAPd - рассеивание мощно..
Тип корпуса: TO-126 Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Транзисторы Дарлингтона
7.60 грн.
В корзину
0
Полярность транзистора:PNPНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:60 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):5 VНапряжение коллектор-база (VCBO):60 VМаксимальный постоянный ток коллектора:4 AМаксимальный ток отсечки коллектора:200 uAPd - рассеивание мощно..
Тип корпуса: TO-126 Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Транзисторы Дарлингтона
6.00 грн.
В корзину
0
Полярность транзистора:NPNНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:80 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):5 VНапряжение коллектор-база (VCBO):80 VМаксимальный постоянный ток коллектора:4 AМаксимальный ток отсечки коллектора:200 uAPd - рассеивание мощно..
Тип корпуса: TO-126 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Транзисторы Дарлингтона
6.40 грн.
В корзину
0
Полярность транзистора:NPNНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:80 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):5 VНапряжение коллектор-база (VCBO):80 VМаксимальный постоянный ток коллектора:4 AМаксимальный ток отсечки коллектора:200 uAPd - рассеивание мощно..
Тип корпуса: TO-126 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Транзисторы Дарлингтона
6.80 грн.
В корзину
0
Полярность транзистора:PNPНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:80 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):5 VНапряжение коллектор-база (VCBO):80 VМаксимальный постоянный ток коллектора:4 AМаксимальный ток отсечки коллектора:200 uAPd - рассеивание мощно..
Тип корпуса: TO-126 Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Транзисторы Дарлингтона
8.00 грн.
В корзину
0
Полярность транзистора:NPNНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:100 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):5 VНапряжение коллектор-база (VCBO):100 VМаксимальный постоянный ток коллектора:4 AМаксимальный ток отсечки коллектора:200 uAPd - рассеивание мощ..
Тип корпуса: TO-126 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Транзисторы Дарлингтона
8.00 грн.
В корзину