0

Транзисторы Тип транзистора IGBT

0
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.4 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 24 A Ток утечки затвор-эмиттер: +/- 100 nA Pd - рассеивание мощно..
Тип корпуса: TO-3PN Тип транзистора: IGBT Транзисторы: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
74.80 грн.
В корзину
0
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 40 A Pd - рассеивание мощности: 310 W Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 40 A..
Тип корпуса: TO-3P Тип транзистора: IGBT Транзисторы: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
60.00 грн.
В корзину
0
Конфигурация: SingleНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 VНапряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2 VМаксимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 VНепрерывный коллекторный ток при 25 C: 50 AТок утечки затвор-эмиттер: +/- 250 nAPd - расс..
Тип корпуса: TO-3P Тип транзистора: IGBT Транзисторы: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
57.20 грн.
В корзину
0
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V Вид монтажа: Through Hole Упаковка / блок: TO-247-3 Максимальная рабочая температура: + 150 C Упаковка: Tube Торговая марка: Fairchild Semiconductor Не..
Тип корпуса: TO-247 Тип транзистора: IGBT Транзисторы: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
64.00 грн.
В корзину
0
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V Упаковка / блок: TO-247-3 Максимальная рабочая температура: + 150 C Упаковка: Bulk Торговая марка: Fairchild Semiconductor Непрерывный ток коллектора I..
Тип корпуса: TO-247 Тип транзистора: IGBT Транзисторы: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
50.00 грн.
В корзину
0
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.1 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 80 A Ток утечки затвор-эмиттер: +/- 400 nA Pd - рассеивание мощности: 349 W Вид монтажа: Through Hole Упаковка / блок: TO-247 Максимальная рабочая температура: + 150..
Тип корпуса: TO-247 Тип транзистора: IGBT Транзисторы: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
62.00 грн.
В корзину
0
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V Максимальная рабочая температура: + 150 C Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 80 A..
Тип корпуса: TO-247 Тип транзистора: IGBT Транзисторы: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
60.00 грн.
В корзину
0
Конфигурация: Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V Вид монтажа: Through Hole Упаковка / блок: TO-247-3 Максимальная рабочая температура: + 150 C Упаковка: Tube Торговая марка: Fairc..
Тип корпуса: TO-247 Тип транзистора: IGBT Транзисторы: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
60.00 грн.
В корзину
0
Конфигурация: Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V Вид монтажа: Through Hole Упаковка / блок: TO-247AB-3 Максимальная рабочая температура: + 150 C Упаковка: Tube Торговая марка: Fai..
Тип корпуса: TO-247 Тип транзистора: IGBT Транзисторы: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
100.00 грн.
В корзину
0
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.9 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 120 A Ток утечки затвор-эмиттер: 400 nA Pd - рассеивание мощности: 600..
Тип корпуса: TO-247 Тип транзистора: IGBT Транзисторы: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
82.40 грн.
В корзину
0
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V Вид монтажа: Through Hole Упаковка / блок: TO-247AB-3 Максимальная рабочая температура: + 150 C Упаковка: Tube Торговая марка: Fairchild Semiconductor ..
Тип корпуса: TO-247 Тип транзистора: IGBT Транзисторы: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
146.00 грн.
В корзину
0
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 25 V Вид монтажа: Through Hole Упаковка / блок: TO-264-3 Максимальная рабочая температура: + 150 C Упаковка: Tube Торговая марка: Fairchild Semiconductor Н..
Тип корпуса: TO-247 Тип транзистора: IGBT Транзисторы: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
145.60 грн.
В корзину
0
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1000 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.5 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 25 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 60 A Ток утечки затвор-эмиттер: +/- 500 nA Pd - рассеивание мощно..
Тип корпуса: TO-264 Тип транзистора: IGBT Транзисторы: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
90.00 грн.
В корзину
0
IGBT+D 1200V 20A 310W Usat=1,48V..
Тип корпуса: TO-247 Тип транзистора: IGBT Транзисторы: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
78.00 грн.
В корзину
0
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:600 VНапряжение насыщения коллектор-эмиттер:1.5 VМаксимальное напряжение затвор-эмиттер:20 VНепрерывный коллекторный ток при 25 C:24 APd - рассеивание мощности:110 WМинимальная рабочая температура:- 40 CМакс..
Тип корпуса: TO-252 Тип транзистора: IGBT Транзисторы: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
37.60 грн.
В корзину
0
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.2 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V Минимальная рабочая температура: - 40 C Максимальная рабочая температура: + 150 C Непрерывный ток коллек..
Тип корпуса: TO-247 Тип транзистора: IGBT Транзисторы: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
86.00 грн.
В корзину
0
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 55 A Максимальная рабочая температура: + 150 C Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V Минимальная рабочая температура: - 55 C..
Тип корпуса: TO-247_super Тип транзистора: IGBT Транзисторы: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
26.80 грн.
В корзину
0
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:600 VНапряжение насыщения коллектор-эмиттер:2.1 VМаксимальное напряжение затвор-эмиттер:20 VНепрерывный коллекторный ток при 25 C:13 APd - рассеивание мощности:60 WМинимальная рабочая температура:- 55 C..
Тип корпуса: TO-220 Тип транзистора: IGBT Транзисторы: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
45.20 грн.
В корзину
0
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:600 VНапряжение насыщения коллектор-эмиттер:1.59 VМаксимальное напряжение затвор-эмиттер:20 VНепрерывный коллекторный ток при 25 C:31 APd - рассеивание мощности:100 WМинимальная рабочая температура:- 55 CМак..
Тип корпуса: TO-220 Тип транзистора: IGBT Транзисторы: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
72.00 грн.
В корзину
0
IGBT N; 600V 31A 100W Uce=1,59V..
Тип корпуса: D2PAC Тип транзистора: IGBT Транзисторы: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
46.00 грн.
В корзину
0
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:600 VНапряжение насыщения коллектор-эмиттер:1.59 VМаксимальное напряжение затвор-эмиттер:20 VНепрерывный коллекторный ток при 25 C:31 APd - рассеивание мощности:100 WМинимальная рабочая температура:- 55 CМак..
Тип корпуса: TO-220 Тип транзистора: IGBT Транзисторы: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
66.80 грн.
В корзину
0
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:600 VНапряжение насыщения коллектор-эмиттер:2.21 VМаксимальное напряжение затвор-эмиттер:20 VНепрерывный коллекторный ток при 25 C:28 APd - рассеивание мощности:100 WМинимальная рабочая температура:- 55 CМак..
Тип корпуса: TO-220 Тип транзистора: IGBT Транзисторы: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
62.80 грн.
В корзину
0
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:600 VНапряжение насыщения коллектор-эмиттер:2.7 VМаксимальное напряжение затвор-эмиттер:20 VНепрерывный коллекторный ток при 25 C:28 APd - рассеивание мощности:100 WМинимальная рабочая температура:- 55 CМакс..
Тип корпуса: D2PAC Тип транзистора: IGBT Транзисторы: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
110.40 грн.
В корзину
0
IGBT N 600V 34A 100W Uce=1,4V..
Тип корпуса: D2PAC Тип транзистора: IGBT Транзисторы: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
28.00 грн.
В корзину