0

Транзисторы Тип транзистора N-P-N

0
NPN 75V 0,8A 0,5W..
Тип корпуса: TO-92 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
0.80 грн.
В корзину
0
Полярность транзистора: NPN Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 40 V Напряжение коллектор-база (VCBO): 60 V Напряжение эмиттер-база (VEBO): 6 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 0.3 V Максимальный постоянный ток коллектора: 0.2 A Произв..
Тип корпуса: TO-92 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
0.80 грн.
В корзину
0
Полярность транзистора: NPNНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 40 VНапряжение коллектор-база (VCBO): 60 VНапряжение эмиттер-база (VEBO): 6 VНапряжение насыщения коллектор-эмиттер: 0.3 VМаксимальный постоянный ток коллектора: 0.2 AПроизведение..
Тип корпуса: SOT-23 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
0.40 грн.
В корзину
0
NPN; 40V 0,6A 0,625W 250MHz h21>100..
Тип корпуса: TO-92 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
0.80 грн.
В корзину
0
NPN; 30V 0,1A 0,625W B=300-900 маломощный универсальный..
Тип корпуса: TO-92 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
0.80 грн.
В корзину
0
Полярность транзистора: NPN Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 160 V Напряжение коллектор-база (VCBO): 180 V Напряжение эмиттер-база (VEBO): 6 V Максимальный постоянный ток коллектора: 0.6 A Произведение коэффициента усиления на ширину полос..
Тип корпуса: TO-92 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
0.80 грн.
В корзину
0
Полярность транзистора:NPNНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:80 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):5 VНапряжение коллектор-база (VCBO):80 VМаксимальный постоянный ток коллектора:4 AМаксимальный ток отсечки коллектора:500 uAPd - рассеивание мощно..
Тип корпуса: TO-126 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Транзисторы Дарлингтона
15.60 грн.
В корзину
0
Полярность транзистора:NPNНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:100 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):5 VНапряжение коллектор-база (VCBO):100 VМаксимальный постоянный ток коллектора:8 AМаксимальный ток отсечки коллектора:20 uAPd - рассеивание мощн..
Тип корпуса: TO-220 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Транзисторы Дарлингтона
17.60 грн.
В корзину
0
Полярность транзистора:NPNНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:60 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):5 VНапряжение коллектор-база (VCBO):60 VМаксимальный постоянный ток коллектора:10 AМаксимальный ток отсечки коллектора:1000 uAМинимальная рабочая ..
Тип корпуса: TO-220 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Транзисторы Дарлингтона
16.80 грн.
В корзину
0
Полярность транзистора:NPNНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:80 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):5 VНапряжение коллектор-база (VCBO):80 VМаксимальный постоянный ток коллектора:10 AМаксимальный ток отсечки коллектора:1000 uAPd - рассеивание мощ..
Тип корпуса: TO-220 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Транзисторы Дарлингтона
16.40 грн.
В корзину
0
NPN 350V 0,5A 0,625W >4..
Тип корпуса: TO-92 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
2.40 грн.
В корзину
0
NPN 200V 100mA 1W 50MHz..
Тип корпуса: TO-92L Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
7.60 грн.
В корзину
0
NPN; 50V 0,1A 0,4W 200MHz 0,36мкс..
Тип корпуса: TO-92 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
2.40 грн.
В корзину
0
NPN DIGITAL, 50V 100mA 0,4W 22/22кОм..
Тип корпуса: TO-92L Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
2.80 грн.
В корзину
0
NPN 50V 1A 1W 200MHz..
Тип корпуса: TO-92L Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
6.00 грн.
В корзину
0
NPN; 300V 0,2A 15W 80MHz h21=70-140..
Тип корпуса: TO-220 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
6.80 грн.
В корзину
0
NPN; 50V 0,1A 0,2W 250MHz h=200-400..
Тип корпуса: SOT-23 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
0.40 грн.
В корзину
0
NPN 60V 0,15A 0,4W малошумящий НЧ..
Тип корпуса: TO-92 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
2.00 грн.
В корзину
0
NPN 30V 0,5A 0,5W 300MHz..
Тип корпуса: TO-92 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
2.40 грн.
В корзину
0
Полярность транзистора: NPNНапряжение коллектор-база (VCBO): 60 VНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 25 V Напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Pd - рассеивание мощности: 20 W..
Тип корпуса: TO-220 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
77.60 грн.
В корзину
0
NPN 120V 0,1A 0,3W 100MHz Кш..
Тип корпуса: TO-92 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
4.00 грн.
В корзину
0
NPN 250V 100mA 1,2W 100MHz h40..
Тип корпуса: TO-126 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
7.60 грн.
В корзину
0
NPN 60V 0,5A 600mW 120MHz..
Тип корпуса: TO-92 Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
6.00 грн.
В корзину
0
Полярность транзистора: NPNНапряжение коллектор-база (VCBO): 30 VНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 30 V Напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Pd - рассеивание мощности: 1 W..
Тип корпуса: TO-92L Тип транзистора: N-P-N Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
2.00 грн.
В корзину