0

Транзисторы Тип транзистора P-N-P

0
PNP 40V 0,6A 0,8W..
Тип корпуса: TO-3 Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
19.20 грн.
В корзину
0
Полярность транзистора: PNP Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 60 VDC Напряжение коллектор-база (VCBO): 60 VDC Напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 VDC Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 400 mV Максимальный постоянный ток коллектора: 600 m..
Тип корпуса: TO18 Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
0.80 грн.
В корзину
0
PNP 40V 0,2A 0,35W B=100-400..
Тип корпуса: TO-92 Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
0.80 грн.
В корзину
0
Полярность транзистора: PNP Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: - 150 V Напряжение коллектор-база (VCBO): - 160 V Напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 V Максимальный постоянный ток коллектора: 0.6 A Произведение коэффициента усиления на ширину п..
Тип корпуса: TO-92 Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
0.80 грн.
В корзину
0
Полярность транзистора:PNPНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:80 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):5 VНапряжение коллектор-база (VCBO):80 VМаксимальный постоянный ток коллектора:4 AМаксимальный ток отсечки коллектора:100 uAМаксимальная рабочая т..
Тип корпуса: TO-126 Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Транзисторы Дарлингтона
10.00 грн.
В корзину
0
Полярность транзистора:PNPНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:100 VНапряжение эмиттер-база (VEBO):5 VНапряжение коллектор-база (VCBO):100 VМаксимальный постоянный ток коллектора:8 AМаксимальный ток отсечки коллектора:20 uAPd - рассеивание мощн..
Тип корпуса: TO-220 Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Транзисторы Дарлингтона
18.00 грн.
В корзину
0
PNP; darl+diod; 100V 20A 160W h21=700-18000 Uce=2V мощный составной аналог КТ825Г..
Тип корпуса: TO-3 Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
80.40 грн.
В корзину
0
PNP; 160V 1A 0,9W 50MHz..
Тип корпуса: TO-92L Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
2.00 грн.
В корзину
0
PNP 50V 150mA 400mW 80MHz..
Тип корпуса: TO-92 Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
1.20 грн.
В корзину
0
PNP lo-sat, 50V 2A 0,9W 100MHz..
Тип корпуса: TO-92L Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
3.60 грн.
В корзину
0
Полярность транзистора: PNPНапряжение коллектор-база (VCBO): -150 VНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: -150 V Напряжение эмиттер-база (VEBO): -5 V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): -10 A Pd - рассеивание мощности: 100 W..
Тип корпуса: TO-3PF Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
50.00 грн.
В корзину
0
PNP 50V 0,15A 0,4W 130MHz..
Тип корпуса: TO-92 Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
1.60 грн.
В корзину
0
Полярность транзистора: PNPНапряжение коллектор-база (VCBO): -30 VНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: -30 V Напряжение эмиттер-база (VEBO): -5 V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): -2 A Pd - рассеивание мощности: 1 W..
Тип корпуса: TO-92L Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
3.60 грн.
В корзину
0
PNP 180V 15A 130W 40MHz..
Тип корпуса: TO-3PN Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
60.40 грн.
В корзину
0
Полярность транзистора: PNPНапряжение коллектор-база (VCBO): -180 VНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: -180 V Напряжение эмиттер-база (VEBO): -6 V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): -15 A Pd - рассеивание мощности: 130 W..
Тип корпуса: TO-3P Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
46.80 грн.
В корзину
0
PNP 25V 500mA 300mW 150MHz..
Тип корпуса: TO-92 Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
8.40 грн.
В корзину
0
PNP 400V 0,5A 0,75W..
Тип корпуса: TO-92 Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
11.60 грн.
В корзину
0
PNP 400V 2A 1W..
Тип корпуса: SOT-33 Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
16.40 грн.
В корзину
0
Полярность транзистора: PNPНапряжение коллектор-база (VCBO): -600 VНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: -600 V Напряжение эмиттер-база (VEBO): -7 V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): -1 A Pd - рассеивание мощности: 1 W..
Тип корпуса: SOT-33 Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
9.20 грн.
В корзину
0
PNP; 200V 2A 25W 20MHz..
Тип корпуса: TO-220F Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
20.00 грн.
В корзину
0
PNP 120V 8A 80W 20MHz..
Тип корпуса: TO-3PN Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
50.40 грн.
В корзину
0
Полярность транзистора: PNPНапряжение коллектор-база (VCBO): -140 VНапряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: -140 V Напряжение эмиттер-база (VEBO): -6 V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): -10 A Pd - рассеивание мощности: 100 W..
Тип корпуса: TO-3P Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
158.00 грн.
В корзину
0
Полярность транзистора: PNP Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 230 V Напряжение коллектор-база (VCBO): 230 V Напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 V Максимальный постоянный ток коллектора: 1 A Произведение коэффициента усиления на ширину полосы ..
Тип корпуса: TO-220F Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
7.20 грн.
В корзину
0
Полярность транзистора: PNP/NPN Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 230 V Напряжение коллектор-база (VCBO): 230 V Напряжение эмиттер-база (VEBO): 5 V Максимальный постоянный ток коллектора: 1 A Произведение коэффициента усиления на ширину пол..
Тип корпуса: TO-220F Тип транзистора: P-N-P Транзисторы: Биполярные транзисторы (BJT)
14.00 грн.
В корзину